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서울대학교 반도체공동연구소

  • 서울대학교 반도체 공동연구소 공정실습: Oxidation Process part. 2

    2024.03.10 by Arranged King

  • 서울대학교 반도체 공동연구소 공정실습 : Oxidation Process part. 1

    2024.03.09 by Arranged King

서울대학교 반도체 공동연구소 공정실습: Oxidation Process part. 2

※ Part. 1에서는 Oxidation Process가 어떤 것이며 Wafer 위에 올라가는 SiO2의 물성과 성장방법 그리고 그에 관련된 Kinetics와 공정에 중요한 영향을 미치는 Parmeter를 알아보았다. 서울대학교 반도체 공동연구소 공정실습 : Oxidation Process part. 1 1. Oxidation Process? 반도체 공정에서 사용하는 Thermal Processes 중 하나이며 우리말로 흔히 산화공정이라고 하는 Oxidation Process는 Wafer 제조 공정으로 만들어낸 고순도의 Si 기판에 H2O와 O2 같은 산화제 arranged.tistory.com 1. LOCOS와 STI 그리고 산화막의 다양한 용도 1. LOCOS Transistor들의 간격이 미세공정이..

STUDY/Semiconductor 2024. 3. 10. 15:32

서울대학교 반도체 공동연구소 공정실습 : Oxidation Process part. 1

1. Oxidation Process? 반도체 공정에서 사용하는 Thermal Processes 중 하나이며 우리말로 흔히 산화공정이라고 하는 Oxidation Process는 Wafer 제조 공정으로 만들어낸 고순도의 Si 기판에 H2O와 O2 같은 산화제와 열에너지를 공급하여 절연막을 위시한 다양한 용도로 사용되는 산화막을 형성하는 과정이다 산화에는 Wet Oxidation과 Dry Oxidation이 있는데, 이는 Oxidant로 어떤 것을 사용하는지에 따라 결정된다. 2. SiO2의 Properties 그렇다면 Wafer 위에 올라가는 SiO2는 어떠한 역할을 하길래 고순도 Wafer위에 Oxiation을 진행하는 것일까? SiO2의 특성은 다음과 같다 Si나 deposited된 다른 물질에서 쉽..

STUDY/Semiconductor 2024. 3. 9. 22:19

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저공비행으로 공대에서 살아남기 © Magazine Lab
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